智通财经APP获悉，开源证券发布研究报告称，供给方面，据闪德资讯报道，三星、SK 海力士、美光三大原厂全力抢占HBM、DDR5 等新兴市场，新产能均投入相关新品，逐渐退出DDR3 市场，利基型DRAM 产能供给减少。需求方面，近期随着AI、网通的需求增加，AI 技术导入后终端产品对DDR3 有容量升级的需求。2023H2 以来，主流存储产品价格已明显回暖，随着利基型市场供需结构改善，DDR3 等利基型存储产品有望接力上涨，实现存储芯片的全品类复苏，板块景气度持续提升。

开源证券观点如下：

上周复盘：现货市场流速缓慢，供需双方博弈激烈

指数方面：据闪存市场数据，2024 年第11 周存储市场有所分化，NAND 指数单周提升0.63%，DRAM 指数单周下降0.02%，基本持平。价格方面：NANDFlash Wafer 价格持平不变， DDR4 eTT 资源跟随实际成交价小幅调涨;渠道市场方面，一季度淡季渠道需求平淡，渠道出现少量抛货现象，而成本端并未下降，因此行情整体变动不大，价格持平不变;行业市场方面，近期行业市场以少量备货需求为主，整体需求较淡，还有延迟提货的迹象，本周行业价格持平不变;嵌入式Flash 方面，由于嵌入式资源供应依然有限，伴随现货市场嵌入式产品需求稳固，本周部分嵌入式价格上调：eMCP 和uMCP 价格全面上涨( 周环比+2.8%/+5.5%)， 部分eMMC 和UFS 价格上调( 周环比+1.5%/+1.4%)，嵌入式LPDDR 价格持平不变。

利基型市场： DDR3 供不应求，Q2 价格有望调涨20%

供给方面，据闪德资讯报道，三星、SK 海力士、美光三大原厂全力抢占HBM、DDR5 等新兴市场，新产能均投入相关新品，逐渐退出DDR3 市场，利基型DRAM 产能供给减少。需求方面，近期随着AI、网通的需求增加，AI 技术导入后终端产品对DDR3 有容量升级的需求。价格方面，三大原厂已陆续于2023Q4 起喊涨DDR3 价格，随着市场供不应求，华邦也计划在2024Q2 跟进涨价，将DDR3 价格调升20%，幅度可观。2023H2 以来，主流存储产品价格已明显回暖，随着利基型市场供需结构改善，DDR3 等利基型存储产品有望接力上涨，实现存储芯片的全品类复苏，板块景气度持续提升。

大厂近况：开工率逐步提升，中国台厂营收连续多月同比高增

据闪德资讯报道，随着库存调整和智能手机市场需求转好，三星西安工厂稼动率正持续提升，目前已达70%;与此同时，铠侠计划在3 月内将NAND 稼动率提升至90%，大厂近期稼动率调升动作频繁，反应需求正逐步向好。大厂表现方面，随着价格逐步回暖，韩国2 月存储芯片出口额同环比大幅双增(同比+108%/环比+14%)，多家中国存储台厂营收连续多月同比上涨，南亚科技、十铨等企业连续三月同比增长30%以上，势头良好。

随着板块持续复苏，以及HBM 和DDR5 等产品的需求增长，相关公司有望充分受益，受益标的：

(1)存储芯片：兆易创新(603986)(603986.SH)、普冉股份(688766.SH)、东芯股份(688110.SH)等;(2)存储模组：江波龙(301308.SZ)、德明利(001309.SZ)等;(3)存储接口：澜起科技(688008)(688008.SH)、聚辰股份(688123.SH)等;

(4)存储封测及HBM 产业链：长电科技(600584)(600584.SH)、通富微电(002156)(002156.SZ)等

风险提示：需求复苏不及预期，行业竞争加剧，公司新品研发进度不及预期。